中微 CMS015G120T3PA TO-252 1200V/15.A IGBT功率器件

中微半导体与国内FAB合作开发的600V-1350V IGBT产品系列，广泛应用于电机和消费类领域。在正向和阻断状态下，我们的IGBT功率损耗较低，仅需低驱动功率便可发挥高效率。

中微半导体IGBT产品具备国际的单芯片集成RC技术，更大的安全工作区（SOA），更强的抗冲击能力，更足额的耐压余量，较低的开关损耗，1000H HTGB/HTRB可靠性测试。产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机等新能源应用。IGBT产品系列击穿电压有足够的冗余，各种参数一致性高，短路电流能力出色。

IGBT CMS015G120T3PA

参数：

集电极-发射*电压VCE:   1200V

集电极电流： 15.A

饱和压降VCE SAT:   1.7V

二极管压降VF:   1.6V

封装： TO-252

产品特性：
◆沟槽栅场截止工艺技术 
◆低饱和压降
◆10μs 短路能力
◆无铅引脚符 合ROHS要求

应用领域： 
◆电磁炉
◆微波炉
◆软开关应用